NVMFS5C430NLAFT1G
참조 용
| 부품 번호 | NVMFS5C430NLAFT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NVMFS5C430NLAFT1G |
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,730 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 9월 23 - 9월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NVMFS5C430NLAFT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NVMFS5C430NLAFT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NVMFS5C430NLAFT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 38A (Ta), 200A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4300pF @ 20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 75.5mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 74nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4200pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220ML 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVII-H FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 4.2V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 130pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-UDFN (2x2) 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 E FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 53nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1850pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 174W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 8 x 8 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 31.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1.3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 118nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3240pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 34.7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
