NVMFD5C650NLT1G
참조 용
| 부품 번호 | NVMFD5C650NLT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NVMFD5C650NLT1G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,088 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NVMFD5C650NLT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NVMFD5C650NLT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NVMFD5C650NLT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 21A (Ta), 111A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 98µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2546pF @ 25V |
| 전력-최대 | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1.1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-UFBGA, CSPBGA 공급자 장치 패키지 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 85nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2390pF @ 20V 전력-최대 3.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Sanken 시리즈 - FET 유형 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 12-SIP 공급자 장치 패키지 12-SIP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 660mA, 410mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 385mOhm @ 660mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 600mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 270mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-70-6 (SOT-363) |
