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NV25512MUW3VTBG

NV25512MUW3VTBG

참조 용

부품 번호 NV25512MUW3VTBG
PNEDA 부품 번호 NV25512MUW3VTBG
설명 IC EEPROM SPI SER 512KB 8UDFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NV25512MUW3VTBG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NV25512MUW3VTBG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NV25512MUW3VTBG, NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 241.03 KB)
PDFNV25512MUW3VTBG 데이터 시트 표지
NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 페이지 2 NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 페이지 3 NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 페이지 4 NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 페이지 5 NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 페이지 6 NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 페이지 7 NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 페이지 8 NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 페이지 9 NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 페이지 10 NV25512MUW3VTBG 데이터 시트 페이지 11

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  • ON Semiconductor Distributor
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  • NV25512MUW3VTBG Distributor

NV25512MUW3VTBG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

450MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

S25FL129P0XMFV013M

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

IS42S86400B-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

W9712G6KB25I TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TFBGA (8x12.5)

M29W400BB90N1

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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