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NTTD4401FR2

NTTD4401FR2

참조 용

부품 번호 NTTD4401FR2
PNEDA 부품 번호 NTTD4401FR2
설명 MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
제조업체 ON Semiconductor
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NTTD4401FR2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTTD4401FR2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTTD4401FR2, NTTD4401FR2 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 92.24 KB)
PDFNTTD4401FR2G 데이터 시트 표지
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NTTD4401FR2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈FETKY™
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 4.5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds750pF @ 16V
FET 기능Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대)780mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Micro8™
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

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제조업체

IXYS

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

685pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXFA)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MTW32N20E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

180W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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