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NTS12120MFST3G

NTS12120MFST3G

참조 용

부품 번호 NTS12120MFST3G
PNEDA 부품 번호 NTS12120MFST3G
설명 DIODE SCHOTTKY 120V 12A 5DFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,312
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 20 - 7월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTS12120MFST3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTS12120MFST3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NTS12120MFST3G, NTS12120MFST3G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 104.63 KB)
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NTS12120MFST3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)120V
전류-평균 정류 (Io)12A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If830mV @ 12A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr55µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN, 5 Leads
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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SMC Diode Solutions

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

11pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0402 (1006 Metric)

공급자 장치 패키지

2-WLCSP (1x0.6)

작동 온도-접합

150°C (Max)

LL4004G L0

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

MELF

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

PMEG60T10ELRX

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제조업체

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

13ns

전류-역방향 누설 @ Vr

650nA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

245pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123W

공급자 장치 패키지

SOD-123W

작동 온도-접합

175°C (Max)

UF4008-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

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-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.68V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

220ns

전류-역방향 누설 @ Vr

145µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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