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NTMSD2P102R2SG

NTMSD2P102R2SG

참조 용

부품 번호 NTMSD2P102R2SG
PNEDA 부품 번호 NTMSD2P102R2SG
설명 MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,910
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTMSD2P102R2SG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTMSD2P102R2SG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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NTMSD2P102R2SG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 4.5V
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds750pF @ 16V
FET 기능Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOIC
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

관심을 가질만한 제품

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

37A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.95V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

641pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

29W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

2N7002H-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

26pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

370mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BUK7214-75B,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2612pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

158W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVTFS5C680NLTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.82A (Ta), 20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

327pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 20W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

FCP20N60FS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3080pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

208W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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