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NTLUD3A50PZTBG

NTLUD3A50PZTBG

참조 용

부품 번호 NTLUD3A50PZTBG
PNEDA 부품 번호 NTLUD3A50PZTBG
설명 MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN
제조업체 ON Semiconductor
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NTLUD3A50PZTBG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTLUD3A50PZTBG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTLUD3A50PZTBG, NTLUD3A50PZTBG 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 142.88 KB)
PDFNTLUD3A50PZTBG 데이터 시트 표지
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NTLUD3A50PZTBG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds920pF @ 15V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-UDFN (2x2)

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2 P-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

86A, 303A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1735pF @ 13V

전력-최대

156W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

32-PQFN (6x6)

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 15V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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IRF7757TRPBF

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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