NTLLD4901NFTWG
참조 용
| 부품 번호 | NTLLD4901NFTWG |
| PNEDA 부품 번호 | NTLLD4901NFTWG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 22,182 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTLLD4901NFTWG 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTLLD4901NFTWG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTLLD4901NFTWG 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.5A, 6.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 17.4mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 605pF @ 15V |
| 전력-최대 | 800mW, 810mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-WDFN (3x3) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Tc), 12A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 395pF @ 15V, 730pF @ 15V 전력-최대 19W (Tc), 30W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 공급자 장치 패키지 TO-252-4L |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 660pF @ 10V 전력-최대 10.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® ChipFet Dual |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta), 82A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 80nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5875pF @ 40V 전력-최대 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 Power56 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3nC, 6.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 125pF, 305pF @ 15V 전력-최대 1.4W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
