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NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G

참조 용

부품 번호 NTJD5121NT1G
PNEDA 부품 번호 NTJD5121NT1G
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,306,280
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTJD5121NT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTJD5121NT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTJD5121NT1G, NTJD5121NT1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 124.92 KB)
PDFNVJD5121NT1G 데이터 시트 표지
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NTJD5121NT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)295mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds26pF @ 20V
전력-최대250mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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120V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 700µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 60V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

295mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

115pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-75-6L Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-75-6L Dual

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XDFN

공급자 장치 패키지

6-DFN (3.05x1.77)

FDWS9420-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2100pF @ 20V

전력-최대

75W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-PQFN (5x6)

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A, 38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 30V

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