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NTHD4502NT1

NTHD4502NT1

참조 용

부품 번호 NTHD4502NT1
PNEDA 부품 번호 NTHD4502NT1
설명 MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
제조업체 ON Semiconductor
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NTHD4502NT1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTHD4502NT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTHD4502NT1, NTHD4502NT1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 124.84 KB)
PDFNTHD4502NT1 데이터 시트 표지
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NTHD4502NT1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds140pF @ 15V
전력-최대640mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지ChipFET™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

28.5pF @ 30V

전력-최대

320mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2254pF @ 25V

전력-최대

156W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

DMP210DUDJ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.15V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27.44pF @ 15V

전력-최대

330mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

공급자 장치 패키지

SOT-963

IRF7324TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.6nC @ 5V

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