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NTD3055L104T4G

NTD3055L104T4G

참조 용

부품 번호 NTD3055L104T4G
PNEDA 부품 번호 NTD3055L104T4G
설명 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 325,248
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTD3055L104T4G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTD3055L104T4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTD3055L104T4G, NTD3055L104T4G 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 147.02 KB)
PDFNTDV3055L104-1G 데이터 시트 표지
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  • NTD3055L104T4G Distributor

NTD3055L104T4G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs104mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 5V
Vgs (최대)±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds440pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta), 48W (Tj)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.08W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

HUFA75337S3S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

109nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1775pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

175W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RQ6A045ZPTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2450pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

950mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSMT6 (SC-95)

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IRLMS1902TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Micro6™(TSOP-6)

패키지 / 케이스

SOT-23-6

IXTQ44N30T

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

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