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NSVMMBT5551M3T5G

NSVMMBT5551M3T5G

참조 용

부품 번호 NSVMMBT5551M3T5G
PNEDA 부품 번호 NSVMMBT5551M3T5G
설명 TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,588
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSVMMBT5551M3T5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVMMBT5551M3T5G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
NSVMMBT5551M3T5G, NSVMMBT5551M3T5G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 77.06 KB)
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NSVMMBT5551M3T5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)60mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
전력-최대265mW
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-723
공급자 장치 패키지SOT-723

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800V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 330mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 400mA, 3V

전력-최대

100W

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5MHz

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 6mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V

전력-최대

50W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

220MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

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Through Hole

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