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NSD914XV2T1

NSD914XV2T1

참조 용

부품 번호 NSD914XV2T1
PNEDA 부품 번호 NSD914XV2T1
설명 DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,042
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSD914XV2T1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSD914XV2T1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NSD914XV2T1, NSD914XV2T1 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 49.29 KB)
PDFNSD914XV2T1 데이터 시트 표지
NSD914XV2T1 데이터 시트 페이지 2 NSD914XV2T1 데이터 시트 페이지 3

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NSD914XV2T1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 10mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 75V
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

514A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.52V @ 520A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

24mA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y4-M6

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Y4-M6

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다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 2A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

120pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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TO-220-2

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

4.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2.4mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

GL41G-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

TSN525M60 S3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 25A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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8-PDFN (5x6)

작동 온도-접합

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