NRVTS8H120EMFST1G
참조 용
| 부품 번호 | NRVTS8H120EMFST1G |
| PNEDA 부품 번호 | NRVTS8H120EMFST1G |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 8DFN |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,596 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NRVTS8H120EMFST1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NRVTS8H120EMFST1G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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NRVTS8H120EMFST1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | * |
| 다이오드 유형 | - |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | - |
| 전류-평균 정류 (Io) | - |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 속도 | - |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | - |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 작동 온도-접합 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 120V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 800mV @ 12A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 120V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지 PowerDI™ 5 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 750V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 990mV @ 5A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 3µs 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 750V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지 PowerDI™ 5 작동 온도-접합 -65°C ~ 155°C |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 770mV @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 4.5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 TO-263AB 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Sanken 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.05V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
