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NRVBS3100T3G

NRVBS3100T3G NRVBS3100T3G

참조 용

부품 번호 NRVBS3100T3G
PNEDA 부품 번호 NRVBS3100T3G
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 238,290
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 11 - 9월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NRVBS3100T3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NRVBS3100T3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NRVBS3100T3G, NRVBS3100T3G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 126.82 KB)
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NRVBS3100T3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If790mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지SMC
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

85V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 400mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

10ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

SR1090HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

DSB1A30

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-

HER202G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

IDK05G65C5XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 5A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

830µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

160pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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