NHPD660T4G
참조 용
| 부품 번호 | NHPD660T4G |
| PNEDA 부품 번호 | NHPD660T4G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,820 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NHPD660T4G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NHPD660T4G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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NHPD660T4G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 6A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 3V @ 6A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 30ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 30µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | DPAK |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 90V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 850mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 90V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 500mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 500mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 4.3ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 10V 커패시턴스 @ Vr, F 12pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SC-59 작동 온도-접합 125°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.15V @ 5A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 9A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SQ-MELF, B 공급자 장치 패키지 D-5B 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 800mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 320pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 SMC 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
