NGTD9R120F2SWK
참조 용
| 부품 번호 | NGTD9R120F2SWK |
| PNEDA 부품 번호 | NGTD9R120F2SWK |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,870 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NGTD9R120F2SWK 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NGTD9R120F2SWK |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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NGTD9R120F2SWK 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | - |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 2.6V @ 15A |
| 속도 | - |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 1200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
| 작동 온도-접합 | 175°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/304 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 20A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 115pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AA (DO-4) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 SMC Diode Solutions 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 790mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 115pF @ 5V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 SMC 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 MicroSMP 공급자 장치 패키지 MicroSMP 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 650mV @ 120A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 4mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 D-67 공급자 장치 패키지 D-67 작동 온도-접합 - |
