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NGTD23T120F2WP

NGTD23T120F2WP

참조 용

부품 번호 NGTD23T120F2WP
PNEDA 부품 번호 NGTD23T120F2WP
설명 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTD23T120F2WP 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTD23T120F2WP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTD23T120F2WP, NGTD23T120F2WP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 89.35 KB)
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  • NGTD23T120F2WP Distributor

NGTD23T120F2WP 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 25A
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 39A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.5mJ (on), 2.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

55ns/240ns

테스트 조건

480V, 39A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IKD04N60RFAATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

전력-최대

75W

에너지 전환

60µJ (on), 50µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/116ns

테스트 조건

400V, 4A, 43Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

AOTF10B60D

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 10A

전력-최대

42W

에너지 전환

260µJ (on), 70µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

17.4nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/72ns

테스트 조건

400V, 10A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

105ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220-3F

IM818SCCXKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

278W

에너지 전환

365µJ (on), 560µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

195nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/240ns

테스트 조건

390V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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