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NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

참조 용

부품 번호 NGTD21T65F2SWK
PNEDA 부품 번호 NGTD21T65F2SWK
설명 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTD21T65F2SWK 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTD21T65F2SWK
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTD21T65F2SWK, NGTD21T65F2SWK 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 84.25 KB)
PDFNGTD21T65F2WP 데이터 시트 표지
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  • ON Semiconductor Distributor
  • NGTD21T65F2SWK Price
  • NGTD21T65F2SWK Distributor

NGTD21T65F2SWK 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 45A
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

400W

에너지 전환

380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

138nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/115ns

테스트 조건

480V, 40A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

68A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

전력-최대

200W

에너지 전환

550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/190ns

테스트 조건

480V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

115µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/104ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

NGTB35N65FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

전력-최대

300W

에너지 전환

840µJ (on), 280µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

125nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

72ns/132ns

테스트 조건

400V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

RJP60D0DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

전력-최대

35W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

45nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/90ns

테스트 조건

300V, 22A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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