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NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

참조 용

부품 번호 NE3511S02-T1C-A
PNEDA 부품 번호 NE3511S02-T1C-A
설명 IC AMP RF LNA 13.5DB S02
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3511S02-T1C-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3511S02-T1C-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3511S02-T1C-A, NE3511S02-T1C-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,432.31 KB)
PDFNE3511S02-T1C-A 데이터 시트 표지
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NE3511S02-T1C-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수12GHz
이득13.5dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)70mA
소음 수치0.3dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지S02

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16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

37W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

2N5951

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

1kHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

13mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

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전원-출력

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전압-정격

30V

패키지 / 케이스

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

35W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

MMBF4416

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

100MHz

이득

18dB

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

5mA

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BLM7G24S-30BGY

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

31.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

75mA

전원-출력

1.6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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