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NAND512W3A2CN6E

NAND512W3A2CN6E

참조 용

부품 번호 NAND512W3A2CN6E
PNEDA 부품 번호 NAND512W3A2CN6E
설명 IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
제조업체 Micron Technology Inc.
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NAND512W3A2CN6E 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NAND512W3A2CN6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NAND512W3A2CN6E, NAND512W3A2CN6E 데이터 시트 (총 페이지: 55, 크기: 1,377.34 KB)
PDFNAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 표지
NAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 페이지 2 NAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 페이지 3 NAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 페이지 4 NAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 페이지 5 NAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 페이지 6 NAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 페이지 7 NAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 페이지 8 NAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 페이지 9 NAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 페이지 10 NAND512W3A2CZA6E 데이터 시트 페이지 11

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  • NAND512W3A2CN6E Distributor

NAND512W3A2CN6E 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지50ns
접근 시간50ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지48-TSOP

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP II

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

EPROM - OTP

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

80ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.35x13.89)

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제조업체

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시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

IDT71T75702S75PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

7140LA20J8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

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