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MURS2J-TP

MURS2J-TP

참조 용

부품 번호 MURS2J-TP
PNEDA 부품 번호 MURS2J-TP
설명 2A,600V, SUPER FAST RECOVERY REC
제조업체 Micro Commercial Co
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MURS2J-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MURS2J-TP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MURS2J-TP, MURS2J-TP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 650.22 KB)
PDFMURS2J-TP 데이터 시트 표지
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MURS2J-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

250pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

HER204G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

GDP15S120B

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

Amp+™

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

15A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 15A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

895pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 135°C

SB01-05C-TB-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

10ns

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

4.4pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CP

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

VS-122NQ030PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

7400pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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