MUR320SHM6G
참조 용
| 부품 번호 | MUR320SHM6G |
| PNEDA 부품 번호 | MUR320SHM6G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,698 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MUR320SHM6G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MUR320SHM6G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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MUR320SHM6G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 875mV @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 25ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AB, SMC |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AB (SMC) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/260 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.35V @ 38A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AA (DO-4) 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 WeEn Semiconductors 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 500V 전류-평균 정류 (Io) 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.9V @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 55ns 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지 TO-220FP 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 200mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 - |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 920mV @ 120A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 D-67 공급자 장치 패키지 D-67 작동 온도-접합 - |
