MTM231232LBF
참조 용
| 부품 번호 | MTM231232LBF |
| PNEDA 부품 번호 | MTM231232LBF |
| 설명 | MOSFET P-CH 20V 3A |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 579,054 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 7 - 7월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MTM231232LBF 리소스
| 브랜드 | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MTM231232LBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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MTM231232LBF 사양
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 500mW (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SMini3-G1-B |
| 패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 370pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 45W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2nC @ 4.5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 180pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 400mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-WEMT 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 137mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.3nC @ 4.5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-CPH 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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