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MSCD165-08

MSCD165-08

참조 용

부품 번호 MSCD165-08
PNEDA 부품 번호 MSCD165-08
설명 DIODE MODULE 800V 165A SD2
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,866
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 7 - 7월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MSCD165-08 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MSCD165-08
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MSCD165-08, MSCD165-08 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 209.04 KB)
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MSCD165-08 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Series Connection
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)165A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 300A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr9mA @ 800V
작동 온도-접합-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D2
공급자 장치 패키지SD2

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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전류-역방향 누설 @ Vr

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

770mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 20V

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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TO-244AB

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GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

760mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 40V

작동 온도-접합

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장착 유형

Through Hole

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