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MRFG35003M6R5

MRFG35003M6R5

참조 용

부품 번호 MRFG35003M6R5
PNEDA 부품 번호 MRFG35003M6R5
설명 FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
제조업체 NXP
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFG35003M6R5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFG35003M6R5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFG35003M6R5, MRFG35003M6R5 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 175.18 KB)
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MRFG35003M6R5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수3.55GHz
이득9dB
전압-테스트6V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트180mA
전원-출력3W
전압-정격8V
패키지 / 케이스PLD-1.5
공급자 장치 패키지PLD-1.5

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NXP USA Inc.

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주파수

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12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

80mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

PTFC210202FCV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.2GHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

170mA

전원-출력

5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.7dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

450mW

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

450MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

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