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MRFE6VP5300NR1

MRFE6VP5300NR1

참조 용

부품 번호 MRFE6VP5300NR1
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP5300NR1
설명 FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,724
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 8 - 7월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP5300NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP5300NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300NR1 데이터 시트 (총 페이지: 25, 크기: 1,077.78 KB)
PDFMRFE6VP5300GNR1 데이터 시트 표지
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MRFE6VP5300NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득27dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력300W
전압-정격133V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.5GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

240W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-34288-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

4W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

BLP8G10S-45PY

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

952.5MHz ~ 957.5MHz

이득

20.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

224mA

전원-출력

2.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1223-1

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.3GHz

이득

15.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

BLA9G1011L-300U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

21.8dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

4.2µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

317W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

SOT502A

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