MRFE6S9060NR1
참조 용
| 부품 번호 | MRFE6S9060NR1 |
| PNEDA 부품 번호 | MRFE6S9060NR1 |
| 설명 | FET RF 66V 880MHZ TO270-2 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,140 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRFE6S9060NR1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRFE6S9060NR1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRFE6S9060NR1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 880MHz |
| 이득 | 21.1dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 450mA |
| 전원-출력 | 14W |
| 전압-정격 | 66V |
| 패키지 / 케이스 | TO-270AA |
| 공급자 장치 패키지 | TO-270-2 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 960MHz 이득 17.5dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 700mA 전원-출력 100W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-272BB 공급자 장치 패키지 TO-272 WB-4 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.88GHz 이득 17.6dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.4A 전원-출력 50W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 OM-780-2L2L 공급자 장치 패키지 OM-780-2L2L |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.03GHz 이득 20dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 1000W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 NI-1230 공급자 장치 패키지 NI-1230 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.7GHz 이득 28.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 77mA 전원-출력 4W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 TO-272-16 Variant, Flat Leads 공급자 장치 패키지 TO-272 WB-16 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득 18.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 405mA 전원-출력 2.5W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-608A 공급자 장치 패키지 CDFM2 |
