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MRFE6S8046NR1

MRFE6S8046NR1

참조 용

부품 번호 MRFE6S8046NR1
PNEDA 부품 번호 MRFE6S8046NR1
설명 FET RF 66V 894MHZ TO-270-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,714
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 14 - 7월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6S8046NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6S8046NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6S8046NR1, MRFE6S8046NR1 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 500.74 KB)
PDFMRFE6S8046NR1 데이터 시트 표지
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MRFE6S8046NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수894MHz
이득19.8dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트300mA
전원-출력35.5W
전압-정격66V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400S

공급자 장치 패키지

NI-400S

PTF141501E V1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.5GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-30260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

19.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

27W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

BF245B_D75Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BLC9G20LS-120VY

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

19.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

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