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MRF7S18125BHR5

MRF7S18125BHR5

참조 용

부품 번호 MRF7S18125BHR5
PNEDA 부품 번호 MRF7S18125BHR5
설명 FET RF 65V 1.93GHZ NI780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,084
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S18125BHR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S18125BHR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S18125BHR5, MRF7S18125BHR5 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 521.74 KB)
PDFMRF7S18125BHSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S18125BHR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력125W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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이득

15.9dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

18.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

864mA

전원-출력

35W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1271-3

공급자 장치 패키지

SOT-1271-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1.8GHz ~ 2.2GHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

32W

전압-정격

48V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

3SK293(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

22dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

2.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

12.5V

패키지 / 케이스

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USQ

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