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MRF6S21060NBR1

MRF6S21060NBR1

참조 용

부품 번호 MRF6S21060NBR1
PNEDA 부품 번호 MRF6S21060NBR1
설명 FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,916
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S21060NBR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S21060NBR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S21060NBR1, MRF6S21060NBR1 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,438.41 KB)
PDFMRF6S21060NR1 데이터 시트 표지
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MRF6S21060NBR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.12GHz
이득15.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트610mA
전원-출력14W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-272BB
공급자 장치 패키지TO-272 WB-4

관심을 가질만한 제품

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1244C

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

1.93GHz

이득

17.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880XS

공급자 장치 패키지

NI-880XS

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

175MHz

이득

13dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

150-101N09A-00

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

DE

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

200W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DE150

BLF10M6135U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

871.5MHz ~ 891.5MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

26.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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7427931

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2873000202

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ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

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CM200C32768AZFT

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