MRF6P23190HR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF6P23190HR5 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | MRF6P23190HR5 | ||||||||||||||||||
| 설명 | FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | NXP | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 260 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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MRF6P23190HR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6P23190HR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6P23190HR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.39GHz |
| 이득 | 14dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.9A |
| 전원-출력 | 40W |
| 전압-정격 | 68V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230 |
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.5GHz ~ 2.7GHz 이득 16dB 전압-테스트 32V 전류 정격 (Amps) 34A 소음 수치 - 현재-테스트 1.2A 전원-출력 20W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-502B 공급자 장치 패키지 SOT502B |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.99GHz 이득 18dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 750mA 전원-출력 24W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
제조업체 RFMD 시리즈 - 트랜지스터 유형 pHEMT FET 주파수 1.9GHz 이득 19.9dB 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 180mA 소음 수치 0.9dB 현재-테스트 40mA 전원-출력 17.7dBm 전압-정격 7V 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 - |
