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MRF6P18190HR5

MRF6P18190HR5

참조 용

부품 번호 MRF6P18190HR5
PNEDA 부품 번호 MRF6P18190HR5
설명 FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6P18190HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6P18190HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6P18190HR5, MRF6P18190HR5 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 823.75 KB)
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MRF6P18190HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.88GHz
이득15.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트2A
전원-출력44W
전압-정격68V
패키지 / 케이스NI-1230
공급자 장치 패키지NI-1230

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이득

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전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-33288-6

공급자 장치 패키지

H-33288-6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

220MHz

이득

25.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

PD85006TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

2A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

5W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

VRF148AMP

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

175MHz

이득

16dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

100µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

30W

전압-정격

170V

패키지 / 케이스

M113

공급자 장치 패키지

M113

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

SOT-143R

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SOT-143R

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