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MRF5S21100HSR3

MRF5S21100HSR3

참조 용

부품 번호 MRF5S21100HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF5S21100HSR3
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,732
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S21100HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S21100HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S21100HSR3, MRF5S21100HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 677.23 KB)
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MRF5S21100HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.16GHz ~ 2.17GHz
이득13.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.05A
전원-출력23W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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0.6dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

5dBm

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3V

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.39GHz

이득

15.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

28W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

PD57002S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

250mA

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

VRF161MP

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

30MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

200W

전압-정격

170V

패키지 / 케이스

M174

공급자 장치 패키지

M174

MRF282ZR1

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

75mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-200Z

공급자 장치 패키지

NI-200Z

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