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MRF5S19150HSR3

MRF5S19150HSR3

참조 용

부품 번호 MRF5S19150HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF5S19150HSR3
설명 FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,016
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S19150HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S19150HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S19150HSR3, MRF5S19150HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 469.15 KB)
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MRF5S19150HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득14dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력32W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-880S
공급자 장치 패키지NI-880S

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-

소음 수치

-

현재-테스트

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8W

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소음 수치

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현재-테스트

100mA

전원-출력

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전압-정격

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

54W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

1MHz ~ 2.5GHz

이득

16.3dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

100W

전압-정격

50V

패키지 / 케이스

NI-360H-2SB

공급자 장치 패키지

NI-360H-2SB

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

38W

전압-정격

28V

패키지 / 케이스

NI-780-2S2L

공급자 장치 패키지

NI-780-2S2L

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