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MRF5S19060MBR1

MRF5S19060MBR1

참조 용

부품 번호 MRF5S19060MBR1
PNEDA 부품 번호 MRF5S19060MBR1
설명 FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,166
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S19060MBR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S19060MBR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S19060MBR1, MRF5S19060MBR1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 550.41 KB)
PDFMRF5S19060MR1 데이터 시트 표지
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MRF5S19060MBR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz ~ 1.99GHz
이득14dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트750mA
전원-출력12W
전압-정격65V
패키지 / 케이스TO-272BB
공급자 장치 패키지TO-272 WB-4

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

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이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

250mA, 1A

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

35.4dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

16-DFF, Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-HTSSOP

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

2GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

0.4dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

11dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

M04

PD55025S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

25W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

BLF2425M8LS140U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

140W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

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