MRF5812R1
참조 용
| 부품 번호 | MRF5812R1 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF5812R1 |
| 설명 | RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,552 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 4 - 7월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF5812R1 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF5812R1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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MRF5812R1 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 15V |
| 주파수-전환 | 5GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| 이득 | 13dB ~ 15.5dB |
| 전력-최대 | 1.25W |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 200mA |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 4.7V 주파수-전환 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득 10.5dB ~ 28dB 전력-최대 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 160 @ 13mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대) 25mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 4-TSFP |
