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MRF21030LR5

MRF21030LR5

참조 용

부품 번호 MRF21030LR5
PNEDA 부품 번호 MRF21030LR5
설명 FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,372
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF21030LR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF21030LR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF21030LR5, MRF21030LR5 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 743.09 KB)
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MRF21030LR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.14GHz
이득13dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트250mA
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-400
공급자 장치 패키지NI-400

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주파수

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이득

17dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

340W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

ARF1511

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

4 N-Channel

주파수

40.7MHz

이득

15dB

전압-테스트

380V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

750W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

29dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

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