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MR44V064BMAZAATL

MR44V064BMAZAATL

참조 용

부품 번호 MR44V064BMAZAATL
PNEDA 부품 번호 MR44V064BMAZAATL
설명 FERAM / 64KBIT (8KB X 8) / I2C /
제조업체 Rohm Semiconductor
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MR44V064BMAZAATL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MR44V064BMAZAATL
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MR44V064BMAZAATL, MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 427.64 KB)
PDFMR44V064BMAZAATL 데이터 시트 표지
MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 페이지 2 MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 페이지 3 MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 페이지 4 MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 페이지 5 MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 페이지 6 MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 페이지 7 MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 페이지 8 MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 페이지 9 MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 페이지 10 MR44V064BMAZAATL 데이터 시트 페이지 11

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MR44V064BMAZAATL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FRAM
기술FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수3.4MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간130ns
전압-공급1.8V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

400ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

M29W400DB70N6

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

MTFC128GAPALNS-AAT ES

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Tb (128G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-TFBGA

공급자 장치 패키지

153-TFBGA (11.5x13)

IS42VS16100C1-10TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

50-TSOP II

M24256-DRMN8TP/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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