MMRF1315NR1
참조 용
| 부품 번호 | MMRF1315NR1 |
| PNEDA 부품 번호 | MMRF1315NR1 |
| 설명 | FET RF 66V 880MHZ TO270 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,244 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MMRF1315NR1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMRF1315NR1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MMRF1315NR1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 880MHz |
| 이득 | 21.1dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 450mA |
| 전원-출력 | 14W |
| 전압-정격 | 66V |
| 패키지 / 케이스 | TO-270-2 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-270-2 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.9GHz ~ 3.3GHz 이득 12dB 전압-테스트 32V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 400mA 전원-출력 450W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.99GHz 이득 14.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 950mA 전원-출력 22W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-272-4 공급자 장치 패키지 TO-272 WB-4 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 512MHz 이득 26dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 100W 전압-정격 133V 패키지 / 케이스 NI780-4 공급자 장치 패키지 NI-780-4 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 945MHz 이득 14dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 4A 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 30W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad 공급자 장치 패키지 10-PowerSO |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.3GHz 이득 19.2dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 350W 전압-정격 100V 패키지 / 케이스 OM-780G-4L 공급자 장치 패키지 OM-780G-4L |
