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MMRF1310HR5

MMRF1310HR5

참조 용

부품 번호 MMRF1310HR5
PNEDA 부품 번호 MMRF1310HR5
설명 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 28 - 7월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1310HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1310HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1310HR5, MMRF1310HR5 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 565.21 KB)
PDFMMRF1310HSR5 데이터 시트 표지
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MMRF1310HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득26.5dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력300W
전압-정격133V
패키지 / 케이스NI780-4
공급자 장치 패키지NI-780-4

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시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

2.7GHz ~ 3.1GHz

이득

11.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

180W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

6.5mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.1GHz ~ 2.2GHz

이득

16dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

550W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-4

공급자 장치 패키지

SOT1258-4

IXZ308N120

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

880W

전압-정격

1200V

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DE375

PD54008S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

11.5dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

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PowerSO-10RF (Straight Lead)

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