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MMRF1306HSR5

MMRF1306HSR5

참조 용

부품 번호 MMRF1306HSR5
PNEDA 부품 번호 MMRF1306HSR5
설명 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,680
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1306HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1306HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1306HSR5, MMRF1306HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 475.66 KB)
PDFMMRF1306HSR5 데이터 시트 표지
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MMRF1306HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득24dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력1250W
전압-정격133V
패키지 / 케이스NI-1230-4S
공급자 장치 패키지NI-1230-4S

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS (Dual)

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이득

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28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

14W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

PTFA260451E V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.68GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-30265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

11dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

80mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.88GHz ~ 2.03GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

22.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-1

공급자 장치 패키지

DFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

15.7dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

1W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

TO-270BB

공급자 장치 패키지

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