MMRF1306HSR5
참조 용
| 부품 번호 | MMRF1306HSR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MMRF1306HSR5 |
| 설명 | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,680 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MMRF1306HSR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMRF1306HSR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MMRF1306HSR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 230MHz |
| 이득 | 24dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | 1250W |
| 전압-정격 | 133V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230-4S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230-4S |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 600MHz 이득 25dB 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 300W 전압-정격 50V 패키지 / 케이스 NI-780GS-4L 공급자 장치 패키지 NI-780GS-4L |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 pHEMT FET 주파수 3.55GHz 이득 11dB 전압-테스트 12V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 80mA 전원-출력 4.5W 전압-정격 15V 패키지 / 케이스 PLD-1.5 공급자 장치 패키지 PLD-1.5 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 1MHz ~ 2.5GHz 이득 16.3dB 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 100W 전압-정격 50V 패키지 / 케이스 NI-360H-2SB 공급자 장치 패키지 NI-360H-2SB |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 22.7dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 350mA 전원-출력 10W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-270-2 공급자 장치 패키지 TO-270-2 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 175MHz 이득 16dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 100µA 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 30W 전압-정격 170V 패키지 / 케이스 M113 공급자 장치 패키지 M113 |
