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MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G

참조 용

부품 번호 MMBTH10-4LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBTH10-4LT1G
설명 RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 83,514
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBTH10-4LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBTH10-4LT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MMBTH10-4LT1G, MMBTH10-4LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 91.3 KB)
PDFMMBTH10-4LT1 데이터 시트 표지
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MMBTH10-4LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)25V
주파수-전환800MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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제조업체

ON Semiconductor

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NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SC-70-3 (SOT323)

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

860MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

10dB

전력-최대

19.4W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

M122

공급자 장치 패키지

M122

MS2588

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

TAN500

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

75V

주파수-전환

960MHz ~ 1.215GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

9dB

전력-최대

2500W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55ST

공급자 장치 패키지

55ST

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

이득

12dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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