MMBT2369LT3G
참조 용
| 부품 번호 | MMBT2369LT3G |
| PNEDA 부품 번호 | MMBT2369LT3G |
| 설명 | TRANS NPN 15V 0.2A SOT23 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,246 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MMBT2369LT3G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMBT2369LT3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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MMBT2369LT3G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 200mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 15V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 400nA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 350mV |
| 전력-최대 | 225mW |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
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제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 170 @ 500mA, 10V 전력-최대 1W 주파수-전환 200MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92L-A1 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대) 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V 전력-최대 60W 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V 전력-최대 800mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-39 (TO-205AD) |
