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MMBF5457LT1

MMBF5457LT1

참조 용

부품 번호 MMBF5457LT1
PNEDA 부품 번호 MMBF5457LT1
설명 JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $1.6093
250 ---------- $1.5339
500 ---------- $1.4585
1,000 ---------- $1.3830
2,500 ---------- $1.3202
5,000 ---------- $1.2573
재고 있음 1
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MMBF5457LT1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBF5457LT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
MMBF5457LT1, MMBF5457LT1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 55.86 KB)
PDFMMBF5457LT1G 데이터 시트 표지
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MMBF5457LT1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)25V
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)1mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id500mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대225mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4.5pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

MMBF4392LT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

2N4858JTX02

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AA (TO-18)

2SK34260TL

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

2mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

-20°C ~ 80°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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전압-항복 (V (BR) GSS)

50V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.5V @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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