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MM5Z3V9T1

MM5Z3V9T1

참조 용

부품 번호 MM5Z3V9T1
PNEDA 부품 번호 MM5Z3V9T1
설명 DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD523
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,094
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 26 - 7월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MM5Z3V9T1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MM5Z3V9T1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
MM5Z3V9T1, MM5Z3V9T1 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 39.46 KB)
PDFMM5Z20VT1 데이터 시트 표지
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MM5Z3V9T1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.9V
공차±5%
전력-최대200mW
임피던스 (최대) (Zzt)90 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523

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제조업체

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전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±7.04%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 21V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

PMDU

BZD27C130P MQG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

132.5V

공차

±6.41%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

300 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

JANTX1N757D-1

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/127

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1N4970

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±4.85%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

1N5381E3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±20%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

190 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 93.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

T-18

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