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MJD122T4G

MJD122T4G

참조 용

부품 번호 MJD122T4G
PNEDA 부품 번호 MJD122T4G
설명 TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,382
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MJD122T4G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJD122T4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJD122T4G, MJD122T4G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 100.84 KB)
PDFMJD122T4 데이터 시트 표지
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MJD122T4G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
전력-최대1.75W
주파수-전환4MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

16V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 200mA, 13.5V

전력-최대

5W

주파수-전환

1GHz

작동 온도

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

전력-최대

1.6W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

전력-최대

310mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SOT-23-3

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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제조업체

Microsemi Corporation

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

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