MJD112T4
참조 용
| 부품 번호 | MJD112T4 |
| PNEDA 부품 번호 | MJD112T4_6B |
| 설명 | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,436 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 24 - 6월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MJD112T4 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MJD112T4 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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MJD112T4 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 2A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 100V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 20µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| 전력-최대 | 20W |
| 주파수-전환 | 25MHz |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | DPAK |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V 전력-최대 1W 주파수-전환 130MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지 TP |
