MJ11032
참조 용
| 부품 번호 | MJ11032 |
| PNEDA 부품 번호 | MJ11032 |
| 설명 | TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,560 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MJ11032 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MJ11032 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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MJ11032 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 50A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 120V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 3.5V @ 500mA, 50A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 2mA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 25A, 5V |
| 전력-최대 | 300W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-204AE |
| 공급자 장치 패키지 | TO-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 6V 전력-최대 250mW 주파수-전환 300MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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