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MICROFJ-30035-TSV-TR

MICROFJ-30035-TSV-TR

참조 용

부품 번호 MICROFJ-30035-TSV-TR
PNEDA 부품 번호 MICROFJ-30035-TSV-TR
설명 SENSOR PHOTODIODE 420NM 8WBGA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MICROFJ-30035-TSV-TR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MICROFJ-30035-TSV-TR
분류센서광 센서광 센서-포토 다이오드
데이터 시트
MICROFJ-30035-TSV-TR, MICROFJ-30035-TSV-TR 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 696.86 KB)
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MICROFJ-30035-TSV-TR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈J
파장420nm
색상-강화-
분광 범위200nm ~ 900nm
다이오드 유형Avalanche
nm에서의 반응-
응답 시간110ps
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)24.7V
전류-어둡게 (일반)1.9µA
활성 영역9.43mm²
시야각-
작동 온도-40°C ~ 85°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WBGA

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nm에서의 반응

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nm에서의 반응

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응답 시간

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전류-어둡게 (일반)

15nA

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분광 범위

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다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

0.28 A/W @ 450nm

응답 시간

13ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-어둡게 (일반)

13nA

활성 영역

99.93mm²

시야각

95°

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장착 유형

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시리즈

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파장

-

색상-강화

-

분광 범위

-

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-어둡게 (일반)

-

활성 영역

-

시야각

-

작동 온도

-

장착 유형

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950nm

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분광 범위

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다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

800ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-어둡게 (일반)

300pA

활성 영역

31mm²

시야각

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작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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